Сравнение

AP7384-70SA-7 MR25H256CDF, микросхема памяти
Цена 0 0 1 320
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 570
тип продукта LDO Voltage Regulators MRAM
торговая марка Diodes Incorporated Everspin Technologies
упаковка / блок SOT-23-3 DFN-8
серия AP7384 MR25H256
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
mounting type Surface Mount
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 8-VDFN Exposed Pad
rohs status ROHS3 Compliant
упаковка Tray
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8542.32.0071
рабочий ток источника питания 20 mA
reach status REACH Unaffected
supplier device package 8-DFN (5x6)
pd - рассеивание мощности 0.6 W
напряжение питания - макс. 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.7 V
тип интерфейса SPI
voltage - supply 2.7V ~ 3.6V
technology MRAM (Magnetoresistive RAM)
организация 32 k x 8
ширина шины данных 8 bit
размер памяти 256 kbit
memory size 256Kb (32K x 8)
memory type Non-Volatile
memory format RAM
clock frequency 40MHz
memory interface SPI
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль