Сравнение

AP7384-33Y-13 MR25H256CDF, микросхема памяти
Цена 0 0 1 320
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 8-VDFN Exposed Pad
rohs status ROHS3 Compliant
категория продукта Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 570
тип продукта MRAM
торговая марка Everspin Technologies
упаковка Tray
упаковка / блок DFN-8
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8542.32.0071
серия MR25H256
рабочий ток источника питания 20 mA
reach status REACH Unaffected
supplier device package 8-DFN (5x6)
pd - рассеивание мощности 0.6 W
напряжение питания - макс. 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.7 V
тип интерфейса SPI
voltage - supply 2.7V ~ 3.6V
technology MRAM (Magnetoresistive RAM)
организация 32 k x 8
ширина шины данных 8 bit
размер памяти 256 kbit
memory size 256Kb (32K x 8)
memory type Non-Volatile
memory format RAM
clock frequency 40MHz
memory interface SPI
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль