Сравнение

AP7384-33Y-13 IS42S16400J-5TL
Цена 0 0 0 1 340
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 70 C
минимальная рабочая температура -40 C 0 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3 54
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта DRAM
подкатегория Memory Data Storage
размер фабричной упаковки 108
тип продукта DRAM
торговая марка ISSI
упаковка Tray
упаковка / блок TSOP-54
серия IS42S16400J
рабочее напряжение питания 3.3 V
напряжение питания - макс. 110 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин. 3 V
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Gull-wing
maximum operating temperature (°c) 70
mounting surface mount
part status active
pcb changed 54
ppap No
standard package name SOP
supplier package TSOP-II
eccn (us) ear99
minimum operating temperature (°c)
supplier temperature grade Commercial
maximum operating supply voltage (v) 3.6
process technology CMOS
interface type LVTTL
minimum operating supply voltage (v) 3
typical operating supply voltage (v) 3.3
организация 4 M x 16
ширина шины данных 16 bit
размер памяти 64 Mbit
максимальная тактовая частота 200 MHz
время доступа 5.4 ns
chip density (bit) 64M
operating current (ma) 110
organization 4Mx16
number of bits/word (bit) 16
maximum clock rate (mhz) 200
dram type SDRAM
maximum access time (ns) 4.8|5.4
number of i/o lines (bit) 16
number of internal banks 4
number of words per bank 1M
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль