Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	STGWA60H65DFB
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	3 140 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	-55 C
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	+175 C
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	—	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	—
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	38
package / case	—	—	—	TO-247-3
factory pack quantity	—	—	—	600
manufacturer	—	—	—	STMicroelectronics
mounting style	—	—	—	Through Hole
product category	—	—	—	IGBT Transistors
product type	—	—	—	IGBT Transistors
series	—	—	—	STGWA60H65DFB
subcategory	—	—	—	IGBTs
configuration	—	—	—	Single
operating temperature range	—	—	—	-55 C to+175 C
technology	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	375 W
maximum gate emitter voltage	—	—	—	20 V
collector- emitter voltage vceo max	—	—	—	650 V
collector-emitter saturation voltage	—	—	—	2 V
continuous collector current at 25 c	—	—	—	80 A
gate-emitter leakage current	—	—	—	250 nA
continuous collector current	—	—	—	80 A
continuous collector current ic max	—	—	—	80 A