Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	STGWA40HP65FB2, БТИЗ транзистор, 72 А, 1.55 В, 227 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	0 ₽	420 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	TO-92-3	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	6.18
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	600
manufacturer:	—	—	STMicroelectronics
maximum operating temperature:	—	—	+175 C
minimum operating temperature:	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	Through Hole
product category:	—	—	IGBT Transistors
product type:	—	—	IGBT Transistors
series:	—	—	STGWA40HP65FB2
subcategory:	—	—	IGBTs
packaging:	—	—	Tube
package/case:	—	—	TO-247-3
pd - power dissipation:	—	—	227 W
technology:	—	—	Si
configuration:	—	—	Single
collector- emitter voltage vceo max:	—	—	650 V
collector-emitter saturation voltage:	—	—	1.55 V
continuous collector current at 25 c:	—	—	72 A
continuous collector current ic max:	—	—	72 A
gate-emitter leakage current:	—	—	250 nA
maximum gate emitter voltage:	—	—	20 V