Сравнение

	STGWT20IH125DF
Цена	940 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6.756
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	300
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3P
серия	STGWT20IH125DF
pd - рассеивание мощности	259 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.25 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	20 A