Сравнение

	RGW80TS65GC11
Цена	1 170 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247N-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-247N
pd - рассеивание мощности	214 W
base product number	RGW80 ->
input type	Standard
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	78 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	78 A
current - collector (ic) (max)	78A
current - collector pulsed (icm)	160A
gate charge	110nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	214W
switching energy	760ВµJ (on), 720ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	44ns/143ns
vce(on) (max) @ vge, ic	1.9V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V