Сравнение

RGW60TK65GVC11
Цена 1 520
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка ROHM Semiconductor
упаковка Tube
упаковка / блок TO-3PFM
pd - рассеивание мощности 72 W
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 33 A
ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс. 33 A
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль