Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	0 ₽	440 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	30
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	—	ROHM Semiconductor
упаковка	Ammo Pack	—	Tube
упаковка / блок	TO-92-3	—	TO-3PFM
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	2
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-3PFM, SC-93-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	TO-3PFM
pd - рассеивание мощности	—	—	61 W
другие названия товара №	—	—	RGTH60TK65D
base product number	—	—	RGTH60 ->
input type	—	—	Standard
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	28 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	200 nA
current - collector (ic) (max)	—	—	28A
current - collector pulsed (icm)	—	—	120A
gate charge	—	—	58nC
igbt type	—	—	Trench Field Stop
power - max	—	—	61W
td (on/off) @ 25в°c	—	—	27ns/105ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	—	2.1V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	—	650V
test condition	—	—	400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	—	—	58ns