Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Цена 0 0 0 0 440
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs IGBTs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 30
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators IGBT Transistors
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-3PFM
серия AP7384
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
вес, г 2
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-3PFM, SC-93-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-3PFM
pd - рассеивание мощности 61 W
другие названия товара № RGTH60TK65D
base product number RGTH60 ->
input type Standard
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 28 A
ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
current - collector (ic) (max) 28A
current - collector pulsed (icm) 120A
gate charge 58nC
igbt type Trench Field Stop
power - max 61W
td (on/off) @ 25в°c 27ns/105ns
vce(on) (max) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max) 650V
test condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr) 58ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль