Сравнение

	RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Цена	440 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-3PFM, SC-93-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PFM
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-3PFM
pd - рассеивание мощности	61 W
другие названия товара №	RGTH60TK65D
base product number	RGTH60 ->
input type	Standard
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	28 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
current - collector (ic) (max)	28A
current - collector pulsed (icm)	120A
gate charge	58nC
igbt type	Trench Field Stop
power - max	61W
td (on/off) @ 25в°c	27ns/105ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2.1V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
test condition	400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	58ns