Сравнение

RGTH00TK65DGC11
Цена 0 1 830
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Through Hole
operating temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-3PFM, SC-93-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка ROHM Semiconductor
упаковка Tube
упаковка / блок TO-3PFM
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package TO-3PFM
pd - рассеивание мощности 72 W
другие названия товара № RGTH00TK65D
base product number RGTH00 ->
input type Standard
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 35 A
ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
current - collector (ic) (max) 35A
current - collector pulsed (icm) 200A
gate charge 94nC
igbt type Trench Field Stop
power - max 72W
td (on/off) @ 25в°c 39ns/143ns
vce(on) (max) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max) 650V
test condition 400V, 50A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr) 225ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль