|
|
|
|
|
Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
1 020 ₽
|
Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
вид монтажа |
SMD/SMT
|
Through Hole
|
—
|
Through Hole
|
категория продукта |
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
—
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
|
количество выходов |
1 Output
|
1 Output
|
—
|
—
|
максимальная рабочая температура |
+ 125 C
|
+ 125 C
|
—
|
+ 175 C
|
минимальная рабочая температура |
40 C
|
40 C
|
—
|
40 C
|
подкатегория |
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
—
|
IGBTs
|
продукт |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
—
|
размер фабричной упаковки |
3000
|
2000
|
—
|
50
|
тип продукта |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
IGBT Transistors
|
торговая марка |
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
—
|
ROHM Semiconductor
|
упаковка / блок |
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
—
|
TO-262-3
|
серия |
AP7384
|
—
|
—
|
—
|
выходной ток |
50 mA
|
50 mA
|
—
|
—
|
нестабильность выходной нагрузки |
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
—
|
тип выхода |
Fixed
|
Fixed
|
—
|
—
|
выходное напряжение |
7 V
|
7 V
|
—
|
—
|
полярность |
Positive
|
Positive
|
—
|
—
|
входное напряжение (макс.) |
40 V
|
40 V
|
—
|
—
|
Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
входное напряжение мин. |
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
—
|
нестабильность выходного напряжения или тока |
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
—
|
напряжение отпускания |
500 mV
|
500 mV
|
—
|
—
|
подавление пульсаций питания - типич. |
60 dB
|
60 dB
|
—
|
—
|
упаковка |
—
|
Ammo Pack
|
—
|
Tube
|
moisture sensitivity level (msl) |
—
|
—
|
—
|
1 (Unlimited)
|
mounting type |
—
|
—
|
—
|
Through Hole
|
operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
|
package |
—
|
—
|
—
|
Tube
|
package / case |
—
|
—
|
—
|
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
|
rohs status |
—
|
—
|
—
|
ROHS3 Compliant
|
eccn |
—
|
—
|
—
|
EAR99
|
htsus |
—
|
—
|
—
|
8541.29.0095
|
supplier device package |
—
|
—
|
—
|
TO-262
|
pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
—
|
194 W
|
другие названия товара № |
—
|
—
|
—
|
RGT50NS65D(TO-262)
|
base product number |
—
|
—
|
—
|
RGT50 ->
|
input type |
—
|
—
|
—
|
Standard
|
технология |
—
|
—
|
—
|
Si
|
конфигурация |
—
|
—
|
—
|
Single
|
максимальное напряжение затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
30 V
|
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. |
—
|
—
|
—
|
650 V
|
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
1.65 V
|
непрерывный коллекторный ток при 25 c |
—
|
—
|
—
|
48 A
|
ток утечки затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
200 nA
|
current - collector (ic) (max) |
—
|
—
|
—
|
48A
|
current - collector pulsed (icm) |
—
|
—
|
—
|
75A
|
gate charge |
—
|
—
|
—
|
49nC
|
igbt type |
—
|
—
|
—
|
Trench Field Stop
|
power - max |
—
|
—
|
—
|
194W
|
td (on/off) @ 25в°c |
—
|
—
|
—
|
27ns/88ns
|
vce(on) (max) @ vge, ic |
—
|
—
|
—
|
2.1V @ 15V, 25A
|
voltage - collector emitter breakdown (max) |
—
|
—
|
—
|
650V
|
test condition |
—
|
—
|
—
|
400V, 25A, 10Ohm, 15V
|
reverse recovery time (trr) |
—
|
—
|
—
|
58ns
|