Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	RGT50NS65DGC9	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	1 020 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)	—
mounting type	Through Hole	—
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)	—
package	Tube	—
package / case	TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA	—
rohs status	ROHS3 Compliant	—
вид монтажа	Through Hole	—
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I	—
максимальная рабочая температура	+ 175 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	—
подкатегория	IGBTs	—
размер фабричной упаковки	50	—
тип продукта	IGBT Transistors	—
торговая марка	ROHM Semiconductor	—
упаковка	Tube	—
упаковка / блок	TO-262-3	—
eccn	EAR99	—
htsus	8541.29.0095	—
supplier device package	TO-262	—
pd - рассеивание мощности	194 W	—
другие названия товара №	RGT50NS65D(TO-262)	—
base product number	RGT50 ->	—
input type	Standard	—
Вес и габариты	—	—
технология	Si	—
конфигурация	Single	—
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V	—
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V	—
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V	—
непрерывный коллекторный ток при 25 c	48 A	—
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA	—
current - collector (ic) (max)	48A	—
current - collector pulsed (icm)	75A	—
gate charge	49nC	—
igbt type	Trench Field Stop	—
power - max	194W	—
td (on/off) @ 25в°c	27ns/88ns	—
vce(on) (max) @ vge, ic	2.1V @ 15V, 25A	—
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V	—
test condition	400V, 25A, 10Ohm, 15V	—
reverse recovery time (trr)	58ns	—
вес, г	—	1.95
способ монтажа	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	-55…+125
количество фаз	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000
при iпр.,а	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50