Сравнение

	AP7384-33Y-13	RGT40NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 161 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	410 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	2
вид монтажа:	—	SMD/SMT
максимальная рабочая температура:	—	+175 C
минимальная рабочая температура:	—	-40 C
подкатегория:	—	IGBTs
производитель:	—	ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	—	1000
тип продукта:	—	IGBT Transistors
торговая марка:	—	ROHM Semiconductor
упаковка:	—	Reel, Cut Tape
другие названия товара №:	—	RGT40NL65D
упаковка / блок:	—	TO-263L-3
pd - рассеивание мощности:	—	161 W
технология:	—	Si
конфигурация:	—	Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	—	650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:	—	30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	—	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:	—	40 A
ток утечки затвор-эмиттер:	—	200 nA