Сравнение

RGT40NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.65 В, 161 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Цена 0 410
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2
вид монтажа: SMD/SMT
максимальная рабочая температура: +175 C
минимальная рабочая температура: -40 C
подкатегория: IGBTs
производитель: ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки: 1000
тип продукта: IGBT Transistors
торговая марка: ROHM Semiconductor
упаковка: Reel, Cut Tape
другие названия товара №: RGT40NL65D
упаковка / блок: TO-263L-3
pd - рассеивание мощности: 161 W
технология: Si
конфигурация: Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: 650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c: 40 A
ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль