Сравнение

	RGT00TS65DGC11
Цена	1 250 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247N-3
pd - рассеивание мощности	277 W
другие названия товара №	RGT00TS65D
Вес и габариты	—
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	85 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA