Сравнение

RGS80TS65HRC11
Цена 0 1 690
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка ROHM Semiconductor
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247N-3
pd - рассеивание мощности 272 W
технология Si
конфигурация Single
квалификация AEC-Q101
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 73 A
ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль