Сравнение

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	RGTH80TS65GC11
Цена	130 ₽	1 120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—
вес, г	2	6
Вес и габариты	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-247-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	450
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	ROHM Semiconductor
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247N-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	TO-247N
pd - рассеивание мощности	—	234 W
другие названия товара №	—	RGTH80TS65
base product number	—	RGTH80 ->
input type	—	Standard
конфигурация	—	Single
simulation models	—	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
other related documents	—	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	70 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	200 nA
current - collector (ic) (max)	—	70A
current - collector pulsed (icm)	—	160A
gate charge	—	79nC
igbt type	—	Trench Field Stop
power - max	—	234W
td (on/off) @ 25в°c	—	34ns/120ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	2.1V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	650V
test condition	—	400V, 40A, 10Ohm, 15V