Сравнение

	AP7384-33Y-13	NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт,
Цена	0 ₽	5 220 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	—
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 125 C
минимальная рабочая температура	-40 C	40 C
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	0.1
вид монтажа	—	Press Fit
категория продукта	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегория	—	IGBTs
продукт	—	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	—	24
тип продукта	—	IGBT Modules
торговая марка	—	ON Semiconductor
упаковка	—	Tray
упаковка / блок	—	Q0BOOST
pd - рассеивание мощности	—	103 W
технология	—	SiC
конфигурация	—	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	200 nA