Сравнение

	NGTB40N60L2WG
Цена	0 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	417 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	80 A