Сравнение

	IXXX110N65B4H1, Транзистор IGBT, GenX4™, 650В, 110А, 880Вт, PLUS247
Цена	0 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	PLUS 247-3
серия	Trench - 650V - 1200V GenX33
коммерческое обозначение	XPT
pd - рассеивание мощности	880 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	240 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	110 A