Сравнение

IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B
Цена 5 820
Информация о производителе
Основные
вес, г 34.72
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Chassis Mount
operating temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case SOT-227-4, miniBLOC
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package SOT-227B
california prop 65 Warning Information
configuration Single
Вес и габариты
input Standard
current - collector (ic) (max) 150A
igbt type NPT
power - max 660W
vce(on) (max) @ vge, ic 2.7V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max) 1200V
current - collector cutoff (max) 4mA
input capacitance (cies) @ vce 5.5nF @ 25V
ntc thermistor No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль