Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	IXBH20N300
Цена	0 ₽	0 ₽	11 470 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	IGBTs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	30
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	IXYS
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	TO-247-3
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	Tube
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-247-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
reach status	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	TO-247AD (IXBH)
длина	—	—	16.26 mm
california prop 65	—	—	Warning Information
коммерческое обозначение	—	—	BIMOSFET
series	—	—	BIMOSFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	—	250 W
input type	—	—	Standard
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	3 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	+/- 100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	—	—	50 A
current - collector (ic) (max)	—	—	50A
current - collector pulsed (icm)	—	—	140A
gate charge	—	—	105nC
power - max	—	—	250W
vce(on) (max) @ vge, ic	—	—	3.2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	—	3000V
reverse recovery time (trr)	—	—	1.35Вµs