Сравнение

IRGP4066DPBF, БТИЗ транзистор, 75 А, 1.7 В, 454 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов) KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена 0 2 050 120
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 7.46 1.95
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 400
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка Infineon / IR
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
длина 15.87 mm
pd - рассеивание мощности 454 W
другие названия товара № SP001545048
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 140 A
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль