Сравнение

	AP7383-44W5-7	RGCL80TK60DGC11, БТИЗ транзистор, 35 А, 1.4 В, 57 Вт, 600 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	400 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	2
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-3PFM, SC-93-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	30
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	ROHM Semiconductor
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-3PFM
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
supplier device package	—	TO-3PFM
pd - рассеивание мощности	—	57 W
другие названия товара №	—	RGCL80TK60D
base product number	—	RGCL80 ->
input type	—	Standard
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	35 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	200 nA
current - collector (ic) (max)	—	35A
current - collector pulsed (icm)	—	160A
gate charge	—	98nC
igbt type	—	Trench Field Stop
power - max	—	57W
switching energy	—	1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	—	53ns/227ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	1.8V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	600V
test condition	—	400V, 40A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	—	58ns