|
|
|
|
|
Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
17 170 ₽
|
Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
вид монтажа |
SMD/SMT
|
Through Hole
|
—
|
SMD/SMT
|
категория продукта |
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
—
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
|
количество выходов |
1 Output
|
1 Output
|
—
|
—
|
максимальная рабочая температура |
+ 125 C
|
+ 125 C
|
—
|
+ 150 C
|
минимальная рабочая температура |
40 C
|
40 C
|
—
|
55 C
|
подкатегория |
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
—
|
IGBTs
|
продукт |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
—
|
размер фабричной упаковки |
3000
|
2000
|
—
|
30
|
тип продукта |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
IGBT Transistors
|
торговая марка |
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
—
|
IXYS
|
упаковка / блок |
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
—
|
TO-268-3
|
серия |
AP7384
|
—
|
—
|
—
|
выходной ток |
50 mA
|
50 mA
|
—
|
—
|
нестабильность выходной нагрузки |
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
—
|
тип выхода |
Fixed
|
Fixed
|
—
|
—
|
выходное напряжение |
7 V
|
7 V
|
—
|
—
|
полярность |
Positive
|
Positive
|
—
|
—
|
входное напряжение (макс.) |
40 V
|
40 V
|
—
|
—
|
Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
входное напряжение мин. |
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
—
|
нестабильность выходного напряжения или тока |
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
—
|
напряжение отпускания |
500 mV
|
500 mV
|
—
|
—
|
подавление пульсаций питания - типич. |
60 dB
|
60 dB
|
—
|
—
|
упаковка |
—
|
Ammo Pack
|
—
|
Tube
|
вес, г |
—
|
—
|
—
|
4
|
moisture sensitivity level (msl) |
—
|
—
|
—
|
1 (Unlimited)
|
mounting type |
—
|
—
|
—
|
Surface Mount
|
operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
|
package |
—
|
—
|
—
|
Tube
|
package / case |
—
|
—
|
—
|
TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
|
rohs status |
—
|
—
|
—
|
ROHS3 Compliant
|
eccn |
—
|
—
|
—
|
EAR99
|
htsus |
—
|
—
|
—
|
8541.29.0095
|
reach status |
—
|
—
|
—
|
REACH Unaffected
|
supplier device package |
—
|
—
|
—
|
TO-268
|
california prop 65 |
—
|
—
|
—
|
Warning Information
|
pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
—
|
32 W
|
input type |
—
|
—
|
—
|
Standard
|
технология |
—
|
—
|
—
|
Si
|
конфигурация |
—
|
—
|
—
|
Single
|
максимальное напряжение затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
20 V
|
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. |
—
|
—
|
—
|
2500 V
|
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
2.6 V
|
непрерывный коллекторный ток при 25 c |
—
|
—
|
—
|
5.5 A
|
ток утечки затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
100 nA
|
непрерывный ток коллектора ic, макс. |
—
|
—
|
—
|
13.5 A
|
current - collector (ic) (max) |
—
|
—
|
—
|
5.5A
|
current - collector pulsed (icm) |
—
|
—
|
—
|
13.5A
|
gate charge |
—
|
—
|
—
|
10.5nC
|
power - max |
—
|
—
|
—
|
32W
|
vce(on) (max) @ vge, ic |
—
|
—
|
—
|
3.1V @ 15V, 2A
|
voltage - collector emitter breakdown (max) |
—
|
—
|
—
|
2500V
|