Сравнение

	AP7383-44W5-7	NXH100B120H3Q0PTG
Цена	0 ₽	0 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	Press Fit
категория продукта	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
продукт	—	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	—	24
тип продукта	—	IGBT Modules
торговая марка	—	ON Semiconductor
упаковка	—	Tray
упаковка / блок	—	Q0BOOST
pd - рассеивание мощности	—	186 W
технология	—	SiC
конфигурация	—	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.77 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	800 nA