Сравнение

IGW50N65H5FKSA1, Одиночный транзистор IGBT, 50А, 1,65В, 305Вт, 650В, TO-247, 3 контакта
Цена 760
Информация о производителе
Основные
вес, г 6.06
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 240
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка Infineon Technologies
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия Trenchstop IGBT5
коммерческое обозначение TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности 305 W
другие названия товара № IGW50N65H5 SP001001744
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 80 A
ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль