Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	IGZ75N65H5XKSA1, Высокоскоростная серия IGBT 650 В пятого поколения
Цена	0 ₽	0 ₽	820 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	240
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	—	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-23-3	—	TO-247-4
серия	AP7384	—	Trenchstop 5 H5
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	6.19
упаковка	—	—	Tube
коммерческое обозначение	—	—	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	—	—	395 W
другие названия товара №	—	—	IGZ75N65H5 SP001160054
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	119 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	100 nA