Сравнение

	AP7383-44W5-7	IGZ75N65H5XKSA1, Высокоскоростная серия IGBT 650 В пятого поколения
Цена	0 ₽	820 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	6.19
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	240
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247-4
серия	—	Trenchstop 5 H5
коммерческое обозначение	—	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	—	395 W
другие названия товара №	—	IGZ75N65H5 SP001160054
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	119 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	100 nA