Сравнение

	AP7384-33Y-13	IXXH100N60B3
Цена	0 ₽	4 090 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole
number of outputs	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	55 C
выходной ток	50мА	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—
package type	SOT-89	—
minimum operating temperature	-40 C	—
width	2.6mm	—
pin count	3+Tab	—
maximum operating temperature	+125 C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—
максимальное входное напряжение	40В	—
тип выхода	фиксированный	—
output type	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—
output voltage	3.3 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—
quiescent current	2.5uA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—
вес, г	—	6.5
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-247-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	30
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	IXYS
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247AD
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	IXXH100N60
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	TO-247 (IXXH)
california prop 65	—	Warning Information
коммерческое обозначение	—	XPT
series	—	GenX3в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	830 W
base product number	—	IXX*N60 ->
input type	—	Standard
технология	—	Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	210 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	100 nA
current - collector (ic) (max)	—	220A
current - collector pulsed (icm)	—	480A
gate charge	—	143nC
igbt type	—	PT
power - max	—	830W
switching energy	—	1.9mJ (on), 2mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	—	30ns/120ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	1.8V @ 15V, 70A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	600V
test condition	—	360V, 70A, 2Ohm, 15V