Сравнение

AP7384-33Y-13 NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] IXYH40N120C3
Цена 0 130 2 950
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
артикул NCE3050-TO220
вес, г 2 38
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-247-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IXYH40N120
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-247 (IXYH)
california prop 65 Warning Information
коммерческое обозначение XPT
series GenX3в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности 577 W
input type Standard
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 70 A
ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс. 70 A
current - collector (ic) (max) 70A
current - collector pulsed (icm) 115A
gate charge 85nC
power - max 577W
switching energy 3.9mJ (on), 660ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c 24ns/125ns
vce(on) (max) @ vge, ic 4V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max) 1200V
test condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль