Сравнение

	AP7383-44W5-7	NGTG35N65FL2WG
Цена	0 ₽	0 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	30
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	ON Semiconductor
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	—	300 W
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	70 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	—	35 A