Сравнение

FGP5N60LS, Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Цена 120
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 800
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия FGP5N60LS
pd - рассеивание мощности 83 W
Вес и габариты
технология Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 10 A
ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль