Сравнение

HYG15P120A1K1, N-Channel 3 Phase Bridge IGBT Module, 20 A max, 1200 V, Through Hole
Цена 0 4 300
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1
mounting type Монтаж на плату в отверстия
length 62.8мм
minimum operating temperature -40 °C
width 34мм
pin count 22
dimensions 62.8 x 34 x 12mm
maximum operating temperature +125 °C
configuration 3 Phase Bridge
channel type N
transistor configuration Трехфазный
maximum power dissipation 156 W
maximum collector emitter voltage 1200 В
maximum continuous collector current 20 A
maximum gate emitter voltage ±20V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль