Сравнение

	AP7383-44W5-7	FF50R12RT4
Цена	0 ₽	15 390 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	160
вид монтажа	—	Chassis Mount
категория продукта	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
продукт	—	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	—	10
тип продукта	—	IGBT Modules
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Tray
pd - рассеивание мощности	—	285 W
другие названия товара №	—	FF50R12RT4HOSA1 SP000624912
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	100 nA