Сравнение

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	FF100R12KS4	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	0 ₽	130 ₽	23 600 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
артикул	—	NCE3050-TO220	—	—
вес, г	—	2	340	1.95
вид монтажа	—	—	Chassis Mount	—
категория продукта	—	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат	—
максимальная рабочая температура	—	—	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	—	—	40 C	—
подкатегория	—	—	IGBTs	—
продукт	—	—	IGBT Silicon Modules	—
размер фабричной упаковки	—	—	10	—
тип продукта	—	—	IGBT Modules	—
торговая марка	—	—	Infineon Technologies	—
упаковка	—	—	Tray	—
упаковка / блок	—	—	62 mm	—
длина	—	—	106.4 mm	—
pd - рассеивание мощности	—	—	780 W	—
другие названия товара №	—	—	FF100R12KS4HOSA1 SP000100705	—
rohs	—	—	N	—
конфигурация	—	—	Dual	—
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	+/- 20 V	—
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	1200 V	—
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	3.2 V	—
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	150 A	—
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	400 nA	—
способ монтажа	—	—	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	—	—	-55…+125
количество фаз	—	—	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	—	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	—	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	—	—	1000
при iпр.,а	—	—	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	—	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	—	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	—	—	50