Сравнение

	AP7383-44W5-7	BSM200GA120DN2
Цена	0 ₽	38 690 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	Chassis Mount
категория продукта	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
продукт	—	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	—	10
тип продукта	—	IGBT Modules
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Tray
упаковка / блок	—	62 mm
длина	—	106.4 mm
pd - рассеивание мощности	—	1550 W
другие названия товара №	—	BSM200GA120DN2HOSA1 SP000100725
конфигурация	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	300 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	200 nA