Сравнение

	IXGK120N120A3
Цена	9 350 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	10
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-264-3, TO-264AA
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	25
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-264-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	IXGK120N120
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-264 (IXGK)
длина	20.29 mm
california prop 65	Warning Information
коммерческое обозначение	GenX3
series	GenX3в„ў ->
pd - рассеивание мощности	830 W
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
input type	Standard
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	240 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
непрерывный коллекторный ток	240 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	600 A
current - collector (ic) (max)	240A
current - collector pulsed (icm)	600A
gate charge	420nC
igbt type	PT
power - max	830W
switching energy	10mJ (on), 33mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	40ns/490ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2.2V @ 15V, 100A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1200V
test condition	960V, 100A, 1Ohm, 15V