Сравнение

AP7384-70SA-7 APTGT50TL601G, IGBT Modules DOR CC8047
Цена 0 0 0 16 700
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Chassis Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 80
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
package Bulk
package / case SP1
rohs status RoHS Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package SP1
base product number APTGT50 ->
configuration Three Level Inverter
factory pack quantity: factory pack quantity: 1
manufacturer: Microchip
maximum operating temperature: +100 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: Chassis Mount
product category: IGBT Modules
product type: IGBT Modules
product: IGBT Silicon Modules
subcategory: IGBTs
packaging: Tube
package/case: SP1-12
input Standard
pd - power dissipation: 176 W
technology: Si
current - collector (ic) (max) 80A
igbt type Trench Field Stop
power - max 176W
vce(on) (max) @ vge, ic 1.9V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max) 600V
current - collector cutoff (max) 250ВµA
input capacitance (cies) @ vce 3.15nF @ 25V
ntc thermistor No
collector- emitter voltage vceo max: 600 V
collector-emitter saturation voltage: 1.5 V
continuous collector current at 25 c: 80 A
gate-emitter leakage current: 600 nA
maximum gate emitter voltage: 20 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль