Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	FGA25S125P-SN00337, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	350 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	450
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	TO-3PN
серия	AP7384	—	—	FGA25S125P
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	Tube
pd - рассеивание мощности	—	—	—	250 W
другие названия товара №	—	—	—	FGA25S125P_SN00337
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	—	6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	—	1250 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	—	1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	—	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	—	500 nA