Сравнение

STGWT40V60DF
Цена 0 1 180
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 6.756
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Through Hole
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-3P-3, SC-65-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 300
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-3P
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия STGWT40V60DF
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-3P
pd - рассеивание мощности 283 W
base product number STGWT40 ->
input type Standard
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 80 A
ток утечки затвор-эмиттер 250 nA
current - collector (ic) (max) 80A
current - collector pulsed (icm) 160A
gate charge 226nC
igbt type Trench Field Stop
power - max 283W
switching energy 456ВµJ (on), 411ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c 52ns/208ns
vce(on) (max) @ vge, ic 2.3V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max) 600V
test condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr) 41ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль