|
|
|
|
|
Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
0 ₽
|
16 850 ₽
|
Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
—
|
Основные |
—
|
—
|
—
|
—
|
вид монтажа |
SMD/SMT
|
Through Hole
|
—
|
Through Hole
|
категория продукта |
LDO регуляторы напряжения
|
LDO регуляторы напряжения
|
—
|
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
|
количество выходов |
1 Output
|
1 Output
|
—
|
—
|
максимальная рабочая температура |
+ 125 C
|
+ 125 C
|
—
|
+ 150 C
|
минимальная рабочая температура |
40 C
|
40 C
|
—
|
40 C
|
подкатегория |
PMIC - Power Management ICs
|
PMIC - Power Management ICs
|
—
|
IGBTs
|
продукт |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Regulators
|
—
|
IGBT Silicon Modules
|
размер фабричной упаковки |
3000
|
2000
|
—
|
18
|
тип продукта |
LDO Voltage Regulators
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
IGBT Modules
|
торговая марка |
Diodes Incorporated
|
Diodes Incorporated
|
—
|
STMicroelectronics
|
упаковка / блок |
SOT-23-3
|
TO-92-3
|
—
|
ACEPACK2
|
серия |
AP7384
|
—
|
—
|
A2C25S12M3
|
выходной ток |
50 mA
|
50 mA
|
—
|
—
|
нестабильность выходной нагрузки |
0.5 %
|
0.5 %
|
—
|
—
|
тип выхода |
Fixed
|
Fixed
|
—
|
—
|
выходное напряжение |
7 V
|
7 V
|
—
|
—
|
полярность |
Positive
|
Positive
|
—
|
—
|
входное напряжение (макс.) |
40 V
|
40 V
|
—
|
—
|
Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
—
|
входное напряжение мин. |
3.3 V
|
3.3 V
|
—
|
—
|
нестабильность выходного напряжения или тока |
0.05 %/V
|
0.05 %/V
|
—
|
—
|
напряжение отпускания |
500 mV
|
500 mV
|
—
|
—
|
подавление пульсаций питания - типич. |
60 dB
|
60 dB
|
—
|
—
|
упаковка |
—
|
Ammo Pack
|
—
|
Tray
|
вес, г |
—
|
—
|
—
|
42
|
moisture sensitivity level (msl) |
—
|
—
|
—
|
1 (Unlimited)
|
mounting type |
—
|
—
|
—
|
Chassis Mount
|
operating temperature |
—
|
—
|
—
|
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
|
package |
—
|
—
|
—
|
Tray
|
package / case |
—
|
—
|
—
|
Module
|
eccn |
—
|
—
|
—
|
EAR99
|
htsus |
—
|
—
|
—
|
8541.29.0095
|
reach status |
—
|
—
|
—
|
REACH Unaffected
|
supplier device package |
—
|
—
|
—
|
ACEPACKв„ў 2
|
линейка продукции |
—
|
—
|
—
|
ACEPACK 2 M
|
коммерческое обозначение |
—
|
—
|
—
|
ACEPACK
|
pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
—
|
197 W
|
base product number |
—
|
—
|
—
|
A2C25 ->
|
configuration |
—
|
—
|
—
|
Three Phase Inverter with Brake
|
технология |
—
|
—
|
—
|
Si
|
конфигурация |
—
|
—
|
—
|
Converter Inverter Brake
|
input |
—
|
—
|
—
|
Three Phase Bridge Rectifier
|
рассеиваемая мощность |
—
|
—
|
—
|
197Вт
|
power dissipation |
—
|
—
|
—
|
197Вт
|
полярность транзистора |
—
|
—
|
—
|
N Канал
|
стиль корпуса транзистора |
—
|
—
|
—
|
Module
|
максимальное напряжение затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
20 V
|
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. |
—
|
—
|
—
|
1200 V
|
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
1.95 V
|
непрерывный коллекторный ток при 25 c |
—
|
—
|
—
|
25 A
|
ток утечки затвор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
500 nA
|
current - collector (ic) (max) |
—
|
—
|
—
|
25A
|
igbt type |
—
|
—
|
—
|
Trench Field Stop
|
power - max |
—
|
—
|
—
|
197W
|
vce(on) (max) @ vge, ic |
—
|
—
|
—
|
2.45V @ 15V, 25A
|
voltage - collector emitter breakdown (max) |
—
|
—
|
—
|
1200V
|
напряжение коллектор-эмиттер |
—
|
—
|
—
|
1.2кВ
|
dc ток коллектора |
—
|
—
|
—
|
25А
|
напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on) |
—
|
—
|
—
|
1.95В
|
current - collector cutoff (max) |
—
|
—
|
—
|
100ВµA
|
input capacitance (cies) @ vce |
—
|
—
|
—
|
1550pF @ 25V
|
ntc thermistor |
—
|
—
|
—
|
Yes
|
collector emitter saturation voltage |
—
|
—
|
—
|
1.95В
|
continuous collector current |
—
|
—
|
—
|
25А
|
конфигурация бтиз |
—
|
—
|
—
|
Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake)
|
collector emitter voltage max |
—
|
—
|
—
|
1.2кВ
|
выводы бтиз |
—
|
—
|
—
|
Solder
|
максимальная температура перехода tj |
—
|
—
|
—
|
150 C
|
технология бтиз |
—
|
—
|
—
|
Trench Field Stop
|