Сравнение

IXGK100N170
Цена 0 11 250
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа: Through Hole
диапазон рабочих температур: - 55 C to + 150 C
максимальная рабочая температура: + 150 C
минимальная рабочая температура: - 55 C
подкатегория: IGBTs
производитель: ixys
серия: IXGK100N170
тип продукта: IGBT Transistors
торговая марка: IXYS
высота: 26.59 mm
длина: 20.29 mm
размер фабричной упаковки: 25
упаковка: Tube
ширина: 5.31 mm
упаковка / блок: TO-264-3
pd - рассеивание мощности: 830 W
технология: Si
конфигурация: Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: 1.7 kV
максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c: 170 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.: 600 A
ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA
непрерывный коллекторный ток: 170 A
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль