Сравнение

AP7384-33Y-13 IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А
Цена 0 0 2 490
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вес, г 8
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 20
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка IXYS
упаковка Tube
упаковка / блок ISOPLUS-9
серия IXA30PG1200DHGLB
коммерческое обозначение XPT
pd - рассеивание мощности 150 W
другие названия товара № IXA30PG1200DHGLB-TUB
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 43 A
ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс. 30 A
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль