Сравнение

	IHW25N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Цена	670 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	25
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	IGBT RC Soft Switching
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	PG-TO247-3
series	TrenchStopв„ў ->
pd - рассеивание мощности	231 W
другие названия товара №	IHW25N120E1 SP001391910
base product number	IHW25N120 ->
input type	Standard
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	50 A
current - collector (ic) (max)	50A
current - collector pulsed (icm)	75A
gate charge	147nC
igbt type	NPT and Trench
power - max	231W
switching energy	800ВµJ (off)
vce(on) (max) @ vge, ic	2V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1200V