Сравнение

	IXXK200N65B4, Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 200А, 1,63кВт, TO264
Цена	3 980 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	10
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	25
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-264-3
серия	IXXK200N65
коммерческое обозначение	XPT
pd - рассеивание мощности	1150 W
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	370 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	200 A