Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	BSM150GB120DN2
Цена	0 ₽	47 480 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	Chassis Mount
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	IGBTs
продукт	LDO Regulators	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	2000	10
тип продукта	LDO Voltage Regulators	IGBT Modules
торговая марка	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
упаковка	Ammo Pack	Tray
упаковка / блок	TO-92-3	Half Bridge2
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
вес, г	—	363.1
длина	—	106.4 mm
pd - рассеивание мощности	—	1.25 kW
другие названия товара №	—	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
технология	—	Si
конфигурация	—	Half Bridge
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	210 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	320 nA