Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	BSM150GB120DN2
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	47 480 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	Chassis Mount
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	40 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	—	LDO Regulators	—	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	—	2000	—	10
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Modules
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Ammo Pack	—	Tray
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	Half Bridge2
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	363.1
длина	—	—	—	106.4 mm
pd - рассеивание мощности	—	—	—	1.25 kW
другие названия товара №	—	—	—	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Half Bridge
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	—	2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	—	210 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	—	320 nA